晶片型温度探测传感器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110075694.1
IPC分类号：G01K5/48;H01L21/00
申请日期：
2011-03-23
申请人：
东京毅力科创株式会社

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引证文献

著录项信息

专利名称	晶片型温度探测传感器及其制造方法
申请号	CN201110075694.1	申请日期	2011-03-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-09	公开/公告号	CN102235917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01K5/48 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01K 温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件（辐射高温测定法入G01J 5/00） G01K5/00 以材料的膨胀或收缩为基础的温度测量（G01K 9/00优先；给出除温度瞬时值外其他结果的入G01K 3/00） G01K5/48 材料是固体	IPC分类号	G;0;1;K;5;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	东广大;林圣人;石田寿树
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	章蕾

摘要

本发明提供一种能够在晶片面内对晶片更准确地进行温度探测的晶片型温度探测传感器。晶片型温度探测传感器(21)包括：电路基板(22)，贴附在温度探测用晶片(16)的上表面(18)；温度探测单元(23)，搭载在电路基板(22)上，对温度探测用晶片(16)的温度进行探测；晶片数据通信单元(24)，搭载在电路基板(22)上，能将温度探测单元(23)所探测到的温度探测用晶片(16)的温度数据，发送到温度探测用晶片(16)的外部；及温度数据检测部(28)，设置成嵌入在温度探测用晶片(16)的上表面(18)内的多个不同部位，检测出所嵌入的各位置上的与温度相关的数据。这里，电路基板(22)的线膨胀系数和温度探测用晶片(16)的线膨胀系数等同。

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