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具有源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200380102528.X
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2003-10-24
  • 申请人:
    因芬尼昂技术股份公司
著录项信息
专利名称具有源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
申请号CN200380102528.X申请日期2003-10-24
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2005-12-14公开/公告号CN1708859
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人因芬尼昂技术股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人因芬尼昂技术股份公司当前权利人因芬尼昂技术股份公司
发明人H·塔迪肯
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人程天正;梁永
摘要
根据本发明的一种金氧半导体(MOS)晶体管,具有形成在一绝缘体硅(SOI)基板(20)的一半导体层(18)中的一源极区域(12),一漏极区域(16a,16b),以及一信道区域(14),且该SOI基板具有一半导体基板(24)位在该半导体层(18)下方,以及一绝缘层位在半导体层(18)及半导体基板(24)间,而该漏极或源极区域(12,16a,16b)通过一穿透该半导体基板(24)的一穿孔而被电连接至一位于该半导体基板(24)远离该绝缘层(22)的一侧上的一后方接触。本发明中心想法在于,在不需要限制应用范围的情形下,通过将一穿孔自该源极或该漏极区域引导跨越该绝缘层以及该半导体基板两者再到达待电连接至该区域的一后方接触,而获得一MOS晶体管的一简单可接触性,因为,从而,所述半导体基板的材质特性需求,例如,掺质以及传导性,即变得不需要或是会被降低。

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