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一种肖特基二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010235701.5
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L21/3205
  • 申请日期:
    2010-07-23
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种肖特基二极管的制备方法
申请号CN201010235701.5申请日期2010-07-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-12-15公开/公告号CN101916723A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人汪洋;吴亚贞
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法,该方法利用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层,用传统PVD溅镀法生长氮化钛金属层,从而降低了电镀金属对肖特基接触表面造成金属损伤,提高了肖特基二极管的表面态质量,降低了肖特基二极管的反向漏电流,并进一步降低了肖特基二极管的能耗。

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