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用于修改后的芯片设计的冗余填充方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510021301.7
  • IPC分类号:G06F17/50
  • 申请日期:
    2015-01-15
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称用于修改后的芯片设计的冗余填充方法
申请号CN201510021301.7申请日期2015-01-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-08-10公开/公告号CN105843976A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人姜霖
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种用于修改后的芯片设计的冗余填充方法,所述冗余填充方法包括:将修改后的芯片设计的版图与用于修改前的芯片的冗余填充的版图合并以生成第一完整芯片版图,并对所述第一完整芯片版图进行设计规则检查;将所述第一完整芯片版图中违反设计规则的冗余去除,形成第二芯片版图;以及在所述第二芯片版图的更新区域重新插入冗余金属。本发明所提供的用于修改后的芯片设计的冗余填充方法基于先前的冗余填充方案,能够减少设计修改对原有冗余填充的改动,减少需要重出的光罩,从而降低成本。

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