一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510143366.9
IPC分类号：H01C7/04;H01C17/075
申请日期：
2015-03-30
申请人：
东莞理工学院

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著录项信息

专利名称	一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法
申请号	CN201510143366.9	申请日期	2015-03-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-17	公开/公告号	CN104715874A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕 H01C7/04 具有负温度系数的	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;4;;;H;0;1;C;1;7;/;0;7;5查看分类表>
申请人	东莞理工学院	申请人地址	广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号东莞理工学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞理工学院	当前权利人	东莞理工学院
发明人	何林;杨雷;吴木营
代理机构	东莞市华南专利商标事务所有限公司	代理人	王雪镅

摘要

本发明涉及薄膜热敏电阻技术领域，具体涉及一种薄膜热敏电阻及其制备方法及其电阻值的调节方法。一种薄膜热敏电阻，其特征在于：由下而上依次包括基板、底层Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O四元过渡金属氧化物膜层、中间层Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O四元过渡金属氧化物膜层、顶层Mn‑Co‑Ni‑O三元过渡金属氧化物膜层和电极；该负温度系数薄膜热敏电阻呈现Mn‑Co‑Ni‑O/Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O/Mn‑Co‑Ni‑Fe‑O三层结构。本发明制备的薄膜热敏电阻的电阻值在0.5~3.1MΩ左右可调，老化系数小于4.4%，从而使得该薄膜热敏电阻具有电阻值较低、老化系数低且使用寿命长的优点。

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