晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510128526.9
IPC分类号：H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242
申请日期：
2005-11-30
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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著录项信息

专利名称	晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法
申请号	CN200510128526.9	申请日期	2005-11-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-16	公开/公告号	CN1819205
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	A·蒂斯;K·米姆勒
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;李丙林

摘要

提供了一种半导体储存器件的晶体管阵列及其制造方法。多个从半导体衬底体部分向外延伸的半导体柱被排列成行和列。每个柱形成垂直沟道存取晶体管的有源区。在柱行之间形成绝缘沟槽。掩埋字线在绝缘沟槽内沿柱行延伸。在柱列之间形成位线沟槽。位线在位线沟槽下部中垂直于字线延伸。第一和第二柱列面对相邻的每个位线。每个位线经由多晶硅形成的单侧位线接触耦合到第一柱列的柱中的有源区，并与第二柱列的柱的有源区绝缘。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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