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晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510128526.9
  • IPC分类号:H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242
  • 申请日期:
    2005-11-30
  • 申请人:
    因芬尼昂技术股份公司
著录项信息
专利名称晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法
申请号CN200510128526.9申请日期2005-11-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-08-16公开/公告号CN1819205
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/105IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;0;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2查看分类表>
申请人因芬尼昂技术股份公司申请人地址
德国慕尼黑 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人因芬尼昂技术股份公司当前权利人因芬尼昂技术股份公司
发明人A·蒂斯;K·米姆勒
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;李丙林
摘要
提供了一种半导体储存器件的晶体管阵列及其制造方法。多个从半导体衬底体部分向外延伸的半导体柱被排列成行和列。每个柱形成垂直沟道存取晶体管的有源区。在柱行之间形成绝缘沟槽。掩埋字线在绝缘沟槽内沿柱行延伸。在柱列之间形成位线沟槽。位线在位线沟槽下部中垂直于字线延伸。第一和第二柱列面对相邻的每个位线。每个位线经由多晶硅形成的单侧位线接触耦合到第一柱列的柱中的有源区,并与第二柱列的柱的有源区绝缘。

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