基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510026609.7
IPC分类号：--
申请日期：
2005-06-09
申请人：
上海交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法
申请号	CN200510026609.7	申请日期	2005-06-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-26	公开/公告号	CN1688036
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	周勇;丁文;曹莹;陈吉安;周志敏
代理机构	上海交达专利事务所	代理人	王锡麟;王桂忠

摘要

一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，属于传感器技术领域。本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号；采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层；采用专用的化学腐蚀液刻蚀纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜，形成磁敏器件；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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