可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310117149.X
IPC分类号：H01L21/48;H01L23/12
申请日期：
2003-12-02
申请人：
全懋精密科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法
申请号	CN200310117149.X	申请日期	2003-12-02
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-06-08	公开/公告号	CN1624887
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2查看分类表>
申请人	全懋精密科技股份有限公司	申请人地址	台湾省台北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	全懋精密科技股份有限公司	当前权利人	全懋精密科技股份有限公司
发明人	胡竹青;许诗滨
代理机构	北京三幸商标专利事务所	代理人	刘激扬

摘要

一种可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法，主要是提供至少一表面形成有多个电性连接垫的封装基板，接着在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层，并进行薄化使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫的上表面，之后，可在该有机绝缘保护层及电性连接垫表面上依序形成导电膜与阻层，并使该阻层形成有多个开孔，以显露出该电性连接垫表面的导电膜，再对该封装基板进行电镀制程，也或直接利用模板印刷方式，以在该电性连接垫上沉积预焊锡材料，本发明可提升预焊锡结合力强度，可避免因电性连接垫尺寸缩小造成的对位问题以及预焊锡材料不易沉积在该电性连接垫上等问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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