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一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810207488.X
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2008-12-22
  • 申请人:
    上海晶澳太阳能光伏科技有限公司
著录项信息
专利名称一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺
申请号CN200810207488.X申请日期2008-12-22
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2009-06-03公开/公告号CN101447529
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人上海晶澳太阳能光伏科技有限公司申请人地址
上海市闸北区江场三路36号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海晶澳太阳能光伏科技有限公司当前权利人上海晶澳太阳能光伏科技有限公司
发明人郝江波;李静;周鹏宇
代理机构广州知友专利商标代理有限公司代理人李海波
摘要
本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺,通过最优化整个氧化工艺过程中温度,气流量,氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的,稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片,然后结合相关的刻蚀手段即可实现硅片表面局部重扩散和轻扩散的目的。

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