气敏元件敏感材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810498419.2
IPC分类号：G01N27/12;C04B41/85
申请日期：
2018-05-22
申请人：
广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	气敏元件敏感材料及其制备方法
申请号	CN201810498419.2	申请日期	2018-05-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-28	公开/公告号	CN108593718A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;C;0;4;B;4;1;/;8;5查看分类表>
申请人	广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司	申请人地址	广东省佛山市顺德区北滘镇林港路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司	当前权利人	广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司
发明人	林勇;罗彪;张天宇
代理机构	深圳市世纪恒程知识产权代理事务所	代理人	晏波

摘要

本发明公开了一种气敏元件敏感材料及其制备方法。其中，所述气敏元件敏感材料含有如下组分SnO2 86～96wt％，CaF2 0.1～3wt％，Sb2O3 2～5.5wt％，SiO2 0.1～2.5wt％，PdCl2 0.5～4wt％。本发明技术方案通过引入CaF2，配合Sb2O3和SiO2等，改善敏感膜稳定性；通过SnO2 86～96wt％，CaF2 0.1～3wt％，Sb2O3 2～5.5wt％，SiO2 0.1～2.5wt％，PdCl2 0.5～4wt％的合理配方设计，使得所制备的气敏元件灵敏度高，长期工作稳定性优异。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供