半导体装置的制造方法及半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200610107570.6
IPC分类号：H01L21/76;H01L21/306;H01L21/316;H01L21/822;H01L27/04
申请日期：
2006-07-26
申请人：
尔必达存储器株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置的制造方法及半导体装置
申请号	CN200610107570.6	申请日期	2006-07-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-14	公开/公告号	CN1913120
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/76 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/76 组件间隔离区的制作〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人	尔必达存储器株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	尔必达存储器株式会社	当前权利人	尔必达存储器株式会社
发明人	山本裕久
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陆锦华;谢丽娜

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中涉及角部被弄圆，开口部被扩大了的沟槽的制造方法。采用使用了二氯乙烯(DCE)的卤氧化法来实施各向异性氧化，形成了沟槽的肩部的膜厚厚，随着达到底部，膜厚逐渐变薄的各向异性氧化膜之后，除去该各向异性氧化膜，使沟槽的肩部优先后退，由此充分弄圆沟槽的肩部，扩大开口部。其次，在沟槽内埋入绝缘体。还有，沟槽肩部的被弄圆了的部分的近旁也作为MOS晶体管的沟道来利用。

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