一种去除光致抗蚀剂的方法和设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201410012432.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2014-01-10
申请人：
上海和辉光电有限公司

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著录项信息

专利名称	一种去除光致抗蚀剂的方法和设备
申请号	CN201410012432.4	申请日期	2014-01-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-15	公开/公告号	CN104779136A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	上海和辉光电有限公司	申请人地址	上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海和辉光电有限公司	当前权利人	上海和辉光电有限公司
发明人	黄子晏;谭莉;林信安;林志明;廖子毅
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	于宝庆;刘春生

摘要

本发明提供一种去除光致抗蚀剂的方法，包括：涂布光致抗蚀剂对低温多晶硅进行沟道掺杂；利用大气等离子体处理装置，通入气体形成等离子体，对所述光致抗蚀剂进行灰化处理；去除有机残余物；以及利用剥离装置，对光致抗蚀剂进行剥离处理。本发明还提供一种去除光致抗蚀剂的设备。采用本发明的方法，可有效减少去除光致抗蚀剂的时间，简化工艺流程，提高生产效率，同时减少设备购置费用和维护费用，降低生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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