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COMS图像传感器及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410098283.8
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2014-03-17
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称COMS图像传感器及其制作方法
申请号CN201410098283.8申请日期2014-03-17
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-06-04公开/公告号CN103839957A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人令海阳
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法,其中,所述制作方法包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有栅极氧化层和栅极多晶硅;在所述半导体衬底上沉积介质层,通过曝光与刻蚀,形成栅极侧墙,并去除所述半导体衬底上的其余介质层;在所述半导体衬底上沉积保护层;进行离子注入在所述半导体衬底表面形成第一掺杂区。本发明通过在沉积保护层之后再进行离子注入在半导体衬底表面形成第一掺杂区,第一掺杂区与第三掺杂区构成感光二极管,防止离子注入对感光二极管表面的半导体衬底表面造成损伤,从而避免因半导体损伤造成的COMS图像传感器白点,提高COMS图像传感器的质量。

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