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移相器用低损耗LiZn铁氧体材料及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810148121.5
  • IPC分类号:H01F1/34;H01F1/37;C04B35/26;C04B35/64
  • 申请日期:
    2008-12-31
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称移相器用低损耗LiZn铁氧体材料及制备方法
申请号CN200810148121.5申请日期2008-12-31
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-10-07公开/公告号CN101552072
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01F1/34IPC分类号H;0;1;F;1;/;3;4;;;H;0;1;F;1;/;3;7;;;C;0;4;B;3;5;/;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市建设北路二段四号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人蒋晓娜;兰中文;余忠;孙科;姬海宁;刘培元;庄亚明
代理机构成都惠迪专利事务所代理人刘勋
摘要
移相器用低损耗LiZn铁氧体材料,涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明由主料、添加剂和粘合剂构成,以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3计算,主料包括64~71mol%Fe2O3、15~22mol%ZnO、0.8~1.5mol%Mn3O4、9.9~12mol%Li2CO3;相对于主料,添加剂以Bi2O3、BST、Nb2O5计算,比例为0.5~3.0wt%Bi2O3、0.1~0.5wt%BST、0.05~0.4wt%Nb2O5。本发明降低了矫顽力和介电损耗、提高了饱和磁化强度,从而实现低矫顽力、低介电损耗、高饱和磁化强度LiZn铁氧体材料的低温制备。

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