金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410543417.2
IPC分类号：C23F1/14
申请日期：
2014-10-15
申请人：
东进世美肯株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
申请号	CN201410543417.2	申请日期	2014-10-15
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104562009A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;4查看分类表>
申请人	东进世美肯株式会社	申请人地址	韩国仁川市西欧加佐洞644 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东进世美肯株式会社	当前权利人	东进世美肯株式会社
发明人	徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范
代理机构	北京冠和权律师事务所	代理人	朱健

摘要

本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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