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宽温度范围放射源激发闪烁晶体荧光测量系统及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811654421.0
  • IPC分类号:G01N21/64
  • 申请日期:
    2018-12-29
  • 申请人:
    中国科学技术大学
著录项信息
专利名称宽温度范围放射源激发闪烁晶体荧光测量系统及方法
申请号CN201811654421.0申请日期2018-12-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-16公开/公告号CN109632748A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/64IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;6;4查看分类表>
申请人中国科学技术大学申请人地址
安徽省合肥市包河区金寨路96号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学技术大学当前权利人中国科学技术大学
发明人薛明萱;张云龙;文思成;彭海平;张志永;魏逸丰;许咨宗;汪晓莲
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李坤
摘要
本公开提供了一种宽温度范围放射源激发闪烁晶体荧光测量系统及方法,其中测量系统包括:制冷机、放射源和PMT测试系统;制冷机包括冷台、低温腔室、温度控制器和温度探头;冷台置于制冷机机体上部,待测晶体样品放置于冷台上,低温腔室罩设在冷台外部;温度控制器用于调整制冷机制冷温度,使冷台温度满足待测晶体样品所需温度;第一温度探头与冷台相连,第二温度探头与待测晶体样品表面相连,第三温度探头与PMT测试系统相连,紧贴在PMT测试系统伸进低温腔室的光阴极玻璃管壁侧面;PMT测试系统的光阴极负责收集待测晶体样品的闪烁荧光,并将收集到的光信号转化为电信号,输出至PC端。本公开中PMT测试系统深入制冷机的低温腔室利于提高荧光收集效率。

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