阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110961231.9
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0296
申请日期：
2021-08-20
申请人：
华中科技大学;深圳华中科技大学研究院

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专利名称	阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法
申请号	CN202110961231.9	申请日期	2021-08-20
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-16	公开/公告号	CN113659039A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6查看分类表>
申请人	华中科技大学;深圳华中科技大学研究院	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学,深圳华中科技大学研究院	当前权利人	华中科技大学,深圳华中科技大学研究院
发明人	廖广兰;张许宁;刘智勇;孙博;刘星月;叶海波
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	孔娜;尚威

摘要

本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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