一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510117619.1
IPC分类号：G02F1/1368;H01L29/786
申请日期：
2005-11-04
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法
申请号	CN200510117619.1	申请日期	2005-11-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-09	公开/公告号	CN1959513
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1368 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕 G02F1/1362 有源矩阵寻址单元〔7〕 G02F1/1368 其中开关元件为三电极装置〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京经济技术开发区西环中路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人	皇甫鲁江
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘芳

摘要

一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，在这种结构中，底部栅电极和栅极引线的厚度、层状结构或材料不同。该结构的制作方法是在制作薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列(Array)时，用于形成像素驱动电极和底部栅电极的导电薄膜是通过同一工艺过程形成的由下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜。制作完成后，底部栅电极保持复合薄膜的层状结构，而透明的像素驱动电极由复合膜剥离不透明的金属层后的透明导电层形成。通过上述结构和方法制造的薄膜晶体管阵列结构，使底部栅极薄膜晶体管阵列结构更加合理，制作工艺更加简单。

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