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一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510117619.1
  • IPC分类号:G02F1/1368;H01L29/786
  • 申请日期:
    2005-11-04
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法
申请号CN200510117619.1申请日期2005-11-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-05-09公开/公告号CN1959513
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1368IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京经济技术开发区西环中路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司当前权利人北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人皇甫鲁江
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人刘芳
摘要
一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构,在这种结构中,底部栅电极和栅极引线的厚度、层状结构或材料不同。该结构的制作方法是在制作薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列(Array)时,用于形成像素驱动电极和底部栅电极的导电薄膜是通过同一工艺过程形成的由下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜。制作完成后,底部栅电极保持复合薄膜的层状结构,而透明的像素驱动电极由复合膜剥离不透明的金属层后的透明导电层形成。通过上述结构和方法制造的薄膜晶体管阵列结构,使底部栅极薄膜晶体管阵列结构更加合理,制作工艺更加简单。

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