具有压电选择器的交叉点磁性随机存取存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN201680086224.6
IPC分类号：G11C11/16;H01L43/08;H01L27/22
申请日期：
2016-06-28
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有压电选择器的交叉点磁性随机存取存储器
申请号	CN201680086224.6	申请日期	2016-06-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-15	公开/公告号	CN109219849A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/16 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	林金朝;王英

摘要

描述了一种磁性随机存取存储器(MRAM)位单元的三维(3D)阵列，其中，所述阵列包括由下述部分构成的网格：沿第一轴延伸的第一互连；沿第二轴延伸的第二互连；以及沿第三轴延伸的第三互连，其中，所述第一轴、所述第二轴和所述第三轴相互正交；并且其中，所述MRAM位单元的位单元包括：包括耦合至所述第一互连的第一电极的磁性结器件；与第二电极相邻的压电(PZe)层，其中，所述第二电极耦合至所述第二互连；以及与所述PZe层和所述磁性结相邻的第一层，其中，所述第一层耦合至第三互连。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供