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半导体装置及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710086987.3
  • IPC分类号:H01L23/28;H01L23/29
  • 申请日期:
    2007-03-29
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置及其形成方法
申请号CN200710086987.3申请日期2007-03-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-10-03公开/公告号CN101047154
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/28IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人李明机;卢思维;郭祖宽;李建勋
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所代理人刘新宇
摘要
本发明是提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置的形成方法包含:通过介于一集成电路芯片与一封装基板或印刷电路板之间的多个软焊料凸块,将上述集成电路芯片与上述封装基板或印刷电路板结合,上述集成电路芯片具有至少一介电层,上述介电层的介电常数较好为不大于3.0,上述软焊料的铅浓度较好为不大于5wt%;以及形成一多层式的底胶层于上述集成电路芯片与上述封装基板或印刷电路板之间。本发明所述的半导体装置及其形成方法,可提升半导体装置的可靠度。

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