用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420028369.9
IPC分类号：C30B19/06;C30B29/48
申请日期：
2014-01-17
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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著录项信息

专利名称	用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架
申请号	CN201420028369.9	申请日期	2014-01-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B19/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B19/00 液相外延层生长〔3〕 C30B19/06 反应室；承载熔融液的舟皿；衬底夹持器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;4;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市虹口区玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	杨建荣;魏彦锋;孙瑞贇;孙权志
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	郭英

摘要

本专利公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。

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