可写入的磁性元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201180045555.2
IPC分类号：H01L43/08;G11C11/16;H01F10/32
申请日期：
2011-07-21
申请人：
国家科学研究中心;原子能与替代能源委员会;约瑟夫·傅立叶大学;卡塔拉纳米技术研究所（ICN）;加泰罗尼亚调研高等研究学院（ICREA）

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著录项信息

专利名称	可写入的磁性元件
申请号	CN201180045555.2	申请日期	2011-07-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-13	公开/公告号	CN103392245A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;H;0;1;F;1;0;/;3;2查看分类表>
申请人	国家科学研究中心;原子能与替代能源委员会;约瑟夫·傅立叶大学;卡塔拉纳米技术研究所（ICN）;加泰罗尼亚调研高等研究学院（ICREA）	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家科学研究中心,原子能与替代能源委员会,约瑟夫·傅立叶大学,卡塔拉纳米技术研究所（ICN）,加泰罗尼亚调研高等研究学院（ICREA）	当前权利人	国家科学研究中心,原子能与替代能源委员会,约瑟夫·傅立叶大学,卡塔拉纳米技术研究所（ICN）,加泰罗尼亚调研高等研究学院（ICREA）
发明人	吉勒斯·路易斯·伽丁;约安·米哈依·米隆;彼得罗·加姆巴德拉;阿兰·舒尔
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明涉及一种可写入的磁性元件，其包括具有磁性写入层的层叠体，所述元件的特征在于，所述层叠体包括由至少一种磁性材料制成的中间层（13、53、90），所述至少一种磁性材料呈现出垂直于中间层的平面的磁化方向，形成所述磁性写入层的所述中间层夹在由非磁性材料制成的第一外层（12、52、91）和由非磁性材料制成的第二外层（14、54、92）之间，第一外层（12、52、91）包括第一非磁性材料，并且第二外层（14、54、92）包括与第一非磁性材料不同的第二非磁性材料，至少第二非磁性材料为导电的，以及所述元件一方面包括用于使写入电流仅通过第二外层和中间层、仅当第一外层导电时才能通过第一外层的装置，所述写入电流在平行于中间层的平面的电流方向上流动，以及所述元件另一方面包括用于在所述写入电流存在下沿着垂直于中间层（13、53、90）的平面的磁场方向施加写入磁场的装置，通过对施加的写入磁场的方向作用沿着一个方向或另一方面写入存储器。

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