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一种新型底发射垂直腔面发射激光器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922210410.X
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/20
申请日期：
2019-12-11
申请人：
中证博芯（重庆）半导体有限公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型底发射垂直腔面发射激光器
申请号	CN201922210410.X	申请日期	2019-12-11
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;2;0查看分类表>
申请人	中证博芯（重庆）半导体有限公司	申请人地址	重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中证博芯（重庆）半导体有限公司,中合博芯(重庆)半导体有限公司	当前权利人	中证博芯（重庆）半导体有限公司,中合博芯(重庆)半导体有限公司
发明人	李迈克
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	穆祥维

摘要

本实用新型提供一种新型底发射垂直腔面发射激光器，包括顺序形成在衬底基板表面的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和上金属电极层，衬底基板底面形成有向表面延伸具有内外深度差的出光孔，出光孔内层底部与下DBR间距为d且0

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