首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

解决非感光聚酰亚胺划片道胶残留的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110447866.7
IPC分类号：H01L21/027
申请日期：
2021-04-25
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	解决非感光聚酰亚胺划片道胶残留的方法
申请号	CN202110447866.7	申请日期	2021-04-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113223938A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	华虹半导体（无锡）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区新洲路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华虹半导体（无锡）有限公司	当前权利人	华虹半导体（无锡）有限公司
发明人	王绪根;刘冲;刘希仕;朱联合;栾会倩;吴长明;姚振海;陈骆
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	焦健

摘要

本发明公开了一种解决非感光聚酰亚胺划片道胶残留的方法，在对晶圆进行喷胶之前，先对晶圆进行预润湿步骤，将晶圆表面润湿，提高聚酰亚胺在晶圆表面的流动性，然后进行喷胶、主转速成膜、洗边以及甩干步骤。将晶圆润湿之后能改善晶圆膜厚的形貌，使晶圆边缘的膜厚降低，改善晶圆边缘膜厚波动异常，改善晶圆边缘区域划片道内胶膜残留的问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供