单基岛埋入多圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201120486272.9
IPC分类号：H01L23/495;H01L23/31
申请日期：
2011-11-30
申请人：
江苏长电科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	单基岛埋入多圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构
申请号	CN201120486272.9	申请日期	2011-11-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/495 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/495 引线框架的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	江苏长电科技股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芯鑫融资租赁（天津）有限责任公司,江苏长电科技股份有限公司	当前权利人	芯鑫融资租赁（天津）有限责任公司,江苏长电科技股份有限公司
发明人	王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊
代理机构	江阴市同盛专利事务所	代理人	唐纫兰

摘要

本实用新型涉及一种单基岛埋入多圈引脚静电释放圈球栅阵列封装结构，它包括外引脚（1）和外静电释放圈（2），所述外引脚（1）设置有多圈，所述外引脚（1）正面通过多层电镀方式形成内引脚（4），所述外静电释放圈（2）内部设置有芯片（6），所述芯片（6）正面与内引脚（4）正面之间用金属线（7）连接，所述外引脚（1）和外静电释放圈（2）的背面设置有锡球（10）。本实用新型的有益效果是：它省去了背面的耐高温胶膜，降低了封装成本，可选择的产品种类广，金属线键合的质量与产品可靠度的稳定性好，塑封体与金属脚的束缚能力大，实现了内引脚的高密度能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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