一种锗单晶片的单面研磨方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510414595.X
IPC分类号：B24B37/10;B24B37/04;B24B37/30;B24B27/00;H01L21/02
申请日期：
2015-07-15
申请人：
中国电子科技集团公司第四十六研究所

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著录项信息

专利名称	一种锗单晶片的单面研磨方法
申请号	CN201510414595.X	申请日期	2015-07-15
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-11-18	公开/公告号	CN105058223A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/10 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕 B24B37/07 以工件或研具的运动为特征〔2012.01〕 B24B37/10 用于单侧研磨〔2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;1;0;;;B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;3;7;/;3;0;;;B;2;4;B;2;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	申请人地址	天津市河西区洞庭路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人	何远东;杨洪星;刘玉岭;赵权;武永超;韩焕鹏;陈晨
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	胡京生

摘要

本发明涉及一种锗单晶片的单面研磨方法，包括粘蜡、减薄、解离、去蜡步骤，首先通过粘蜡的方法获得直径、莫氏强度都大于锗单晶片的载片与锗单晶片粘合在一起的双层结构的复合片；通过研磨的方式减薄获得一定厚度的双层结构复合片；通过加热的方法进行载片与锗单晶片的解离；然后对锗单晶研磨片进行去蜡处理即可得到所需厚度的锗单晶片。有益效果是锗单晶片表面质量优异，实时测量、控制研磨去除量，减少了晶片崩边和裂纹的产生，降低了生产成本。

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