磁阻装置及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810936272.0
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/12
申请日期：
2018-08-16
申请人：
世界先进积体电路股份有限公司

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著录项信息

专利名称	磁阻装置及其形成方法
申请号	CN201810936272.0	申请日期	2018-08-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-25	公开/公告号	CN110838541A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	世界先进积体电路股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世界先进积体电路股份有限公司	当前权利人	世界先进积体电路股份有限公司
发明人	巫建勋;李建辉;萧智仁;陈永祥
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王天尧;任默闻

摘要

本发明提供一种磁阻装置及其形成方法，该磁阻装置包含磁阻、保护层、第一导电结构、以及第二导电结构。磁阻设置于衬底之上，并且保护层形成于部分磁阻上。第一导电结构设置于保护层结构上，包含下阻挡层和设置于下阻挡层上的金属层。第二导电结构设置于衬底之上并部分覆盖磁阻，且第二导电结构包含上述下阻挡层和上述金属层。本发明利用在磁阻材料层上形成保护材料层，接着将磁阻材料层和保护材料层一起图案化，保护层只有形成在磁阻上，未覆盖其他区域。因此，在后续的工艺中，保护层不再会从磁阻的图案边缘裂开，这避免了磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题，进而提升磁阻装置的制造良品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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