半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN94112813.X
IPC分类号：--
申请日期：
1994-10-20
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN94112813.X	申请日期	1994-10-20
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	1995-08-23	公开/公告号	CN1107257
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	小沼利光;广木正明;张宏勇;山本睦夫;竹村保彦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;王忠忠

摘要

在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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