动态随机存取存储器装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010138226.3
IPC分类号：H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02
申请日期：
2020-03-03
申请人：
华邦电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	动态随机存取存储器装置及其制造方法
申请号	CN202010138226.3	申请日期	2020-03-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113345896A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/108 动态随机存取存储结构的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;2;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾台中市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	朴哲秀;陈明堂
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	王涛;汤在彦

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器装置及其制造方法。此动态随机存取存储器装置包括层间介电层及多个电容单元形成于该基板上。层间介电层具有多个电容单元容置通孔且包括依序形成于基板上的第一支撑层、复合介电层及第二支撑层。复合介电层包括交替地堆叠的至少一第一绝缘层及至少一第二绝缘层。各电容单元容置通孔在第二绝缘层中形成第一开口，且在第一绝缘层中形成与第一开口相通的第二开口。第二开口的宽度大于第一开口的宽度。电容单元形成于电容单元容置通孔中。电容单元的顶部高于层间介电层的顶表面，且定义出凹陷区。

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