加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高性能地磁场模拟装置设计及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510111769.5
  • IPC分类号:G01C25/00;G01C21/08
  • 申请日期:
    2015-03-13
  • 申请人:
    西北工业大学
著录项信息
专利名称一种高性能地磁场模拟装置设计及制作方法
申请号CN201510111769.5申请日期2015-03-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-01公开/公告号CN104748762A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01C25/00IPC分类号G;0;1;C;2;5;/;0;0;;;G;0;1;C;2;1;/;0;8查看分类表>
申请人西北工业大学申请人地址
陕西省西安市友谊西路127号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北工业大学当前权利人西北工业大学
发明人冯乾;杨家男;刘勇;黄煦晨;王易周;李毅兰;潘泉
代理机构陕西增瑞律师事务所代理人张瑞琪
摘要
本发明公开了一种高性能地磁场模拟装置设计及制作方法,包括,一种磁场发生器的设计方法,根据上述的设计方法制备磁场发生器,利用上述磁场发生器制备高性能地磁场模拟装置,该高性能地磁场模拟装置在工作方法中还引入了负反馈方法,该方法可以通过对输出电流进行相应微调来控制匀强磁场的大小及方向,从而保证磁场发生器的设计精度。本发明设计的地磁场模拟器精度高,响应速度快,可准确模拟出所需的地磁场强度。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供