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半导体发光器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710168199.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-11-28
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光器件及其制造方法
申请号CN200710168199.9申请日期2007-11-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-06-11公开/公告号CN101197410
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本埼玉县新座市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人田嶋未来雄;多田善纪
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人蔡胜有;刘继富
摘要
本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法,该半导体发光器件包括具有两个主表面的衬底;和由化合物半导体材料制成的有源层形成部,该有源层形成部形成在所述主表面中的一个主表面上并且包括有源层。从所述有源层形成部的上表面形成穿过有源层的多个孔;在所述有源层和所述衬底之间提供对应于各个孔的多个中空部;和在平面视图上,各中空部的面积大于对应的孔的面积,并且铺展在所述有源层形成部的下表面上,从而暴露出在平面视图上覆盖所述中空部的所述有源层形成部的下表面的部分。

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