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处理晶片的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110239207.4
IPC分类号：H01L21/033;H01L21/3065;H01L21/311
申请日期：
2021-03-04
申请人：
东京毅力科创株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	处理晶片的方法
申请号	CN202110239207.4	申请日期	2021-03-04
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113363143A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/033 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕 H01L21/033 包括无机层的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	冈部宪明;清野拓哉;小塚亮太;滨田康弘;季子祐太郎
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	舒艳君;王海奇

摘要

本发明提供一种处理晶片的方法，是用于以高纵横比进行含硅膜的蚀刻的技术。示例性实施方式所涉及的处理晶片的方法具备：准备具有基板和设置在基板上的含硅膜的晶片的工序。该方法还具备：在含硅膜上形成硬掩模的工序。该方法还具备：使用硬掩模对含硅膜进行蚀刻的工序。硬掩模具有包含钨且且设置在含硅膜上的第一膜、以及包含锆或者钛以及氧且设置在第一膜上的第二膜。

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