一种氮化镓基LED外延片及其生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910010921.5
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/205;C23C16/18;C23C16/34;C23C16/44
申请日期：
2009-03-27
申请人：
大连美明外延片科技有限公司

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专利名称	一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
申请号	CN200910010921.5	申请日期	2009-03-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-29	公开/公告号	CN101847673A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;2;3;C;1;6;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	大连美明外延片科技有限公司	申请人地址	辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大连美明外延片科技有限公司	当前权利人	大连美明外延片科技有限公司
发明人	高凡;杨天鹏;郭文平;陈向东;柴旗;肖志国
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，该外延片的结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中的非掺杂氮化镓层含有第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层；在不同的压强下，生长第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层；通过第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层的结合可缓解衬底与氮化镓材料的晶格失配带给氮化镓外延层的应力，减小氮化镓外延层的位错密度，其线缺陷密度可降低至1×108/cm3以下，从而可以有效提升发光二极管的工作寿命、抗静电能力和反向特性等重要技术指标。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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