一种发光二极管及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110035293.3
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00;G03F7/00
申请日期：
2011-02-10
申请人：
武汉迪源光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种发光二极管及其制备方法
申请号	CN201110035293.3	申请日期	2011-02-10
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102157645A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	武汉迪源光电科技有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷一路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉迪源光电科技有限公司	当前权利人	武汉迪源光电科技有限公司
发明人	王汉华;孙堂友;杨新民;靳彩霞;董志江
代理机构	武汉帅丞知识产权代理有限公司	代理人	朱必武;周瑾

摘要

一种发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层，N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层，所述N型半导体层上设有N电极，所述P型半导体层上设有P电极，其特征在于：出光面为非平面，出光面表面起伏超过60nm，并在非面出光面上制备有光子晶体。本发明的发光二极管具有超过60nm的出光面表面起伏，并在非平面出光面上制备有光子晶体，采用检测方式SEM，从照片中可见模板的图形被精确转移到了表面起伏大于60nm的出光面，本发明的高效结构和保证这种高效结构的实现的方法，将发光二极管出光效率提高5％－20％。

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