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用于加工晶片的方法和层堆叠

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710576639.8
  • IPC分类号:H01L21/683
  • 申请日期:
    2017-07-14
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称用于加工晶片的方法和层堆叠
申请号CN201710576639.8申请日期2017-07-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-01-23公开/公告号CN107622972A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/683IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国诺伊比贝尔格 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人F·J·桑托斯罗德里奎兹
代理机构北京市金杜律师事务所代理人郑立柱
摘要
本申请涉及用于加工晶片的方法和层堆叠。根据不同的实施方式,用于加工晶片的方法可以包括下列:形成(200a)层堆叠(251),其包括支撑层(202)和使用层以及在它们之间的牺牲区域(206),该牺牲区域具有比该支撑层(202)和该使用层更小的相对于加工流体的机械耐抗性和/或化学耐抗性;穿过该支撑层(202)或者至少进入该支撑层中地形成(200b)凹陷(208),其将牺牲区域(206)露出;在所露出的牺牲区域(206)中借助加工流体形成(200c)至少一个通道(210),其中该通道(210)连接该凹陷(208)和该层堆叠(251)的外部。

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