基于石墨烯的中红外等离激元波导调制器

发明专利有效专利

申请号：
CN201711451379.8
IPC分类号：G02F1/025;G02B6/122
申请日期：
2017-12-27
申请人：
厦门大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于石墨烯的中红外等离激元波导调制器
申请号	CN201711451379.8	申请日期	2017-12-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-13	公开/公告号	CN107908020A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/025	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;2;5;;;G;0;2;B;6;/;1;2;2查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	叶龙芳;眭克涵;陈焕阳;陈鑫;柳清伙
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森

摘要

基于石墨烯的中红外等离激元波导调制器，涉及等离激元波导调制器。由7层结构构成，从上至下依次为上基底、上介质层、偏压层、中介质层、石墨烯导带、下介质层和下基底；所述上基底和下基底的中央具有对称的渐变形凸起结构，分别向中间的上介质层和中介质层延伸，可实现增强波导的模式束缚性能，所述上基底和下基底的边缘具有抛物线型、双曲线型、椭圆型、正弦型、余弦型或其它能够实现基底边缘渐变调制的曲线，且其渐变宽度与上基底和下基底延伸出的部分宽度一致，改变该宽度能实现不同程度的调制，偏压层与石墨烯导带的平面留有上介质层、中介质层和下介质层，目的是为了让偏压层和石墨烯导带的平面形成相应的电场。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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