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钙钛矿型化合物层及电池及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810980696.7
  • IPC分类号:H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
  • 申请日期:
    2018-08-27
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称钙钛矿型化合物层及电池及其制备方法
申请号CN201810980696.7申请日期2018-08-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-01-15公开/公告号CN109216555A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/42IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人刘涛;李佳起;赵强;王宁;何泓材;任静;张洪斌
代理机构成都希盛知识产权代理有限公司代理人柯海军;武森涛
摘要
本发明涉及一种钙钛矿型化合物层及采用该钙钛矿型化合物层制备的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。本发明的钙钛矿型化合物层的制备方法包括:将FAX和MAX中的至少一种、路易斯碱或酸、PbX2溶解到DMF/DMSO混合溶剂或DMF中,得到前驱体溶液;所述路易斯碱或酸与Pb2+摩尔比为:1~5:10;所述X为卤素;b.将PMMA溶解到氯苯与甲苯的混合溶剂制成0.5~0.8mg/ml的反溶剂;c.将前驱体溶液和反溶剂先后均匀分布至基底上,再烘干得钙钛矿型化合物层,其中,所述基底优选为电子传输层。本发明的钙钛矿型化合物层制备方法对环境要求低,制备得到的钙钛矿型化合物层缺陷低,晶粒大,综合性能好。

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