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氮化物半导体发光元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710008167.2
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-01-26
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所
著录项信息
专利名称氮化物半导体发光元件
申请号CN200710008167.2申请日期2007-01-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-08-01公开/公告号CN101009352
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H01L33/00查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所申请人地址
日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社,独立行政法人理化学研究所当前权利人住友电气工业株式会社,独立行政法人理化学研究所
发明人京野孝史;平山秀树
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人樊卫民;郭国清
摘要
本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。

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