一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020244510.0
IPC分类号：H01L29/73;H01L29/08;H01L29/36
申请日期：
2010-07-01
申请人：
江西联创特种微电子有限公司

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专利名称	一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构
申请号	CN201020244510.0	申请日期	2010-07-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/73 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/73 双极结型晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	江西联创特种微电子有限公司	申请人地址	江西省南昌市青山湖区罗家镇七四六厂内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西联创特种微电子有限公司	当前权利人	江西联创特种微电子有限公司
发明人	赵建华
代理机构	南昌市平凡知识产权代理事务所	代理人	姚伯川

摘要

一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，该所述结构包括：二氧化硅层(1)、基极(3)、发射极(4)、集电极(5)、N型半导体、P型沟槽区(7)、P型浓硼掺杂区(6)、N型浓磷掺杂区；二氧化硅层位于晶体管上面位置；发射极嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层(2)与N型浓磷掺杂区相连；基极是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通过铝层与N型半导体上P型浓硼掺杂区相连；集电极位于晶体管底层的N型浓磷掺杂区；P型沟槽区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过引线与外界电路连接；所述P型浓硼掺杂区的表面浓度为2～5×1020/cm。本实用新型适用需要降低热噪声的各种晶体管结构。

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