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具有Ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN200610003604.7
IPC分类号：G11B5/62;G11B5/39;H01F10/32
申请日期：
2006-01-04
申请人：
日立环球储存科技荷兰有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有Ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器
申请号	CN200610003604.7	申请日期	2006-01-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-09	公开/公告号	CN1815565
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B5/62 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B5/00 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕 G11B5/62 按所用材料选择区分的记录载体	IPC分类号	G;1;1;B;5;/;6;2;;;G;1;1;B;5;/;3;9;;;H;0;1;F;1;0;/;3;2查看分类表>
申请人	日立环球储存科技荷兰有限公司	申请人地址	荷兰阿姆斯特丹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	HGST荷兰公司	当前权利人	HGST荷兰公司
发明人	李文扬;李晋山;玛丽·F·多尔纳;布赖恩·R·约克;埃里克·E·富勒顿
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

本发明提供一种具有自由层和与所述自由层间隔开的反平行(AP)被钉扎层结构的磁头。所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，所述AP耦合层由Ru合金构成。Ru合金耦合层的使用比纯Ru间隔层显著增加了AP被钉扎层结构的钉扎场。

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