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半导体装置制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210027895.9
IPC分类号：H01L27/146
申请日期：
2012-02-09
申请人：
佳能株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置制造方法
申请号	CN201210027895.9	申请日期	2012-02-09
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-15	公开/公告号	CN102637706A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/146 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕 H01L27/144 由辐射控制的器件〔5〕 H01L27/146 图像结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	佳能株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佳能株式会社	当前权利人	佳能株式会社
发明人	铃木翔;冈部刚士;板桥政次
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	高青

摘要

公开了半导体装置制造方法。从上方观察，第一波导构件形成在半导体基板的图像拾取区域和外围区域中。第一波导构件的位于外围区域中的部分被去除。然后执行平坦化步骤以平坦化第一波导构件的与半导体基板相反的一侧的表面。

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