蓝光半导体器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110299546.1
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/42;H01L33/46;H01L33/00
申请日期：
2021-03-22
申请人：
华南师范大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蓝光半导体器件及其制备方法
申请号	CN202110299546.1	申请日期	2021-03-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113066910A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;2;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区中山大道西55号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	孙慧卿;杨亚峰;彭麟杰;苏哈;郭志友
代理机构	佛山粤进知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	耿鹏

摘要

本发明涉及蓝光半导体器件及其制备方法，其包括图形化蓝宝石衬底，设置于衬底表面的外延叠层，外延叠层包含靠近衬底的n型层、有源层和远离衬底的p型层，外延叠层具有一刻蚀台阶，刻蚀台阶沿着p型层刻蚀至n型层；周期层叠设置的金属/石墨烯复合透明电极层设置于p型层的表面，设置于n型层表面的n电极和设置于p型层表面的p电极；钝化层包裹外延叠层、复合透明电极层、n电极和p电极，DBR层设置于钝化层表面，保护层设置于DBR层表面；焊球分别连接n电极、p电极至基板。本发明提供的器件结构及其制备方法提升了器件的出光效率、降低了结温和空洞率，且该器件的热稳定性好，长时间可靠性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供