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具有侧壁电接触的纳米结构光电装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180038792.6
  • IPC分类号:H01L33/08;H01L33/18
  • 申请日期:
    2011-06-06
  • 申请人:
    桑迪奥德股份有限公司
著录项信息
专利名称具有侧壁电接触的纳米结构光电装置
申请号CN201180038792.6申请日期2011-06-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-24公开/公告号CN103069585A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/08IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;8;;;H;0;1;L;3;3;/;1;8查看分类表>
申请人桑迪奥德股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桑迪奥德股份有限公司当前权利人桑迪奥德股份有限公司
发明人J.C.金;S.易;D.E.马尔斯
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人焦玉恒
摘要
公开了纳米结构阵列光电装置。光电装置可具有物理且电性连接至纳米结构(如纳米柱)的阵列的侧壁的顶部电接触。顶部电接触可设置为使得光可进入或离开纳米结构而不穿过顶部电接触。因此,顶部电接触对于具有由纳米结构中的活性区吸收或产生的波长的光可以是不透明的。因为不需要在光学透明性和导电性之间进行权衡,所以顶部电接触可由高导电性的材料制成。装置可以是太阳能电池、LED、光电检测器等。

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