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聚醚酰亚胺包覆氧化镁/聚丙烯纳米复合薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210102874.2
  • IPC分类号:C08L23/12;C08K3/22;C08K9/10;C08K9/02;C08K9/06;C08J5/18;C08G73/10
  • 申请日期:
    2022-01-27
  • 申请人:
    西安交通大学;中国工程物理研究院流体物理研究所
著录项信息
专利名称聚醚酰亚胺包覆氧化镁/聚丙烯纳米复合薄膜的制备方法
申请号CN202210102874.2申请日期2022-01-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2022-04-19公开/公告号CN114369309A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08L23/12IPC分类号C;0;8;L;2;3;/;1;2;;;C;0;8;K;3;/;2;2;;;C;0;8;K;9;/;1;0;;;C;0;8;K;9;/;0;2;;;C;0;8;K;9;/;0;6;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;G;7;3;/;1;0查看分类表>
申请人西安交通大学;中国工程物理研究院流体物理研究所申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学,中国工程物理研究院流体物理研究所当前权利人西安交通大学,中国工程物理研究院流体物理研究所
发明人闵道敏;韩梦瑶;李沁蓉;武庆周;王威望;李盛涛
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人安彦彦
摘要
本发明公开了聚醚酰亚胺包覆氧化镁/聚丙烯纳米复合薄膜的制备方法,首先在无机纳米粒子表面包覆一层有机物形成过渡层,减弱由于纳米填料与聚合物基体间存在较大的介电性质差异而导致的纳米复合电介质击穿强度的降低,为协同提升介电常数和击穿场强,从而实现聚合物薄膜能量密度最大化提供新的思路。

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