一种基于基片集成波导的双频双极化天线

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201822067573.2
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/10
申请日期：
2018-12-11
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	一种基于基片集成波导的双频双极化天线
申请号	CN201822067573.2	申请日期	2018-12-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;5;0;;;H;0;1;Q;1;3;/;1;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	李融林;王炫波;崔悦慧
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	王东东

摘要

本实用新型公开了一种基于基片集成波导的双频双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板的下表面设置缝隙辐射结构及集成波导腔体结构，所述缝隙辐射结构与集成波导腔体结构连接；所述缝隙辐射结构由四个相同结构的缝隙单元构成，四个缝隙单元分别位于两个相互正交的第一微带线及第二微带线构成的四个象限内；所述缝隙单元由半圆形缝隙、矩形缝隙及矩形缝隙延伸的两条窄圆弧构成，所述半圆形缝隙与矩形缝隙连接。本天线具有良好的辐射特性。

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