一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthjc的模块结构件

发明专利无效专利

申请号：
CN200910242970.1
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/48;H01L23/14
申请日期：
2009-12-22
申请人：
陈志恭;高占成

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专利名称	一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthjc的模块结构件
申请号	CN200910242970.1	申请日期	2009-12-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-22	公开/公告号	CN102104010A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4查看分类表>
申请人	陈志恭;高占成	申请人地址	北京市昌平区天通北苑三区31楼12单元203 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陈志恭,高占成	当前权利人	陈志恭,高占成
发明人	陈志恭
代理机构	北京市合德专利事务所	代理人	王文会

摘要

本发明涉及一种能提升绝缘电压VISO又能降低结壳热阻Rthic的电力半导体模块结构件的制造方法，该电力半导体模块在现有的压接式模块结构件的基础上，加上一层绝缘膜和一金属片，再把原来较厚的陶瓷片减薄后构成。该方法包括：在压接式模块结构件的底板正面喷涂、粘贴或平铺一层绝缘膜；在绝缘膜之上再附加一层金属片；在金属片之上再附加一层减薄的陶瓷片。本发明的模块结构件能够在提升绝缘电压VISO的同时，降低结壳热阻Rthjc。

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