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一种多态有机阻变存储器及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010162689.X
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
  • 申请日期:
    2010-05-05
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种多态有机阻变存储器及制备方法
申请号CN201010162689.X申请日期2010-05-05
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2010-09-08公开/公告号CN101826598A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京大学当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京大学
发明人于哲;黄如;邝永变;张丽杰;高德金
代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张肖琪
摘要
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法,属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底,衬底上的底电极,中间有机功能层和顶电极,所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜,在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制。一是,利用顶电极加足够的正压使得金属Cu或者Ag纳米丝熔断形成关态;加负压后金属Cu或者Ag纳米细丝再次形成而转换成开态;二是,利用顶电极和有机薄膜的氧化还原反应的正向进行和逆向进行实现阻变。本发明实现了多态的阻变特性和多值存储功能,在低成本、高性能的有机存储器方面具有很高的应用价值。

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