蒸镀ITO的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010120594.1
IPC分类号：H01L33/42C23C14/30C23C14/54
申请日期：
2010-03-09
申请人：
上海蓝光科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	蒸镀ITO的方法
申请号	CN201010120594.1	申请日期	2010-03-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-21	公开/公告号	CN102194956A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕 H01L33/42 透明材料〔2010.01〕	IPC分类号	H01L33/42;C23C14/30;C23C14/54查看分类表>
申请人	上海蓝光科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区芳春路4*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海蓝光科技有限公司	当前权利人	上海蓝光科技有限公司
发明人	李士涛;郝茂盛;袁根如;陈诚
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	李仪萍

摘要

本发明提供一种蒸镀ITO的方法，其首先将待蒸镀ITO的半导体结构放置在承片盘上，抽真空至电子束蒸镀机腔体真空度达5×10-6Torr以上后，再使所述承片盘开始转动，并对其进行加热至预设温度后稳定10-30min，然后开启氧气阀门，待氧流量稳定在预设流量时开始对所述半导体结构进行预镀，预镀时间为1-5min，最后以预设的蒸镀速率开始蒸镀ITO，使所述半导体结构上蒸镀出预设厚度的ITO，可见，本发明蒸镀ITO的方法是通过控制氧流量、蒸镀温度、ITO厚度、蒸镀速率来控制ITO阻值，同时保持较高的透光率，使ITO阻值与外延GaN层相匹配，从而使电流扩展更均匀，可有效提高芯片亮度。

基于人工智能的医疗健康服务数据处理分析系统

发明授权

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