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一种耐电晕聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合薄膜及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310513556.6
  • IPC分类号:C08J5/18;C08L79/08;C08K3/36;C08G73/10
  • 申请日期:
    2013-10-27
  • 申请人:
    福建师范大学
著录项信息
专利名称一种耐电晕聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合薄膜及其制备方法
申请号CN201310513556.6申请日期2013-10-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-02-05公开/公告号CN103554533A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08J5/18IPC分类号C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;K;3;/;3;6;;;C;0;8;G;7;3;/;1;0查看分类表>
申请人福建师范大学申请人地址
福建省福州市闽侯县上街镇学园路福建师大旗山校区福建师大科技处 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福建师范大学当前权利人福建师范大学
发明人关怀民;童跃进;罗贝贝
代理机构福州智理专利代理有限公司代理人王义星
摘要
本发明公开一种耐电晕聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜及其制备方法。本发明以带羧基的二胺单体3,5?二氨基苯甲酸,二苯醚二胺和均苯四甲酸二酐,制备侧链带羧基的聚酰胺酸;随后加入正硅酸四乙酯,通过溶胶?凝胶法和热亚胺化法原位制备聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜。该类复合膜中聚合物与二氧化硅通过化学键和氢键作用使得纳米二氧化硅颗粒表面与聚酰亚胺紧密结合,实现二氧化硅在聚酰亚胺基体中的均匀分布,且不会迁移即稳定分散。本发明所涉及的聚酰亚胺/二氧化硅纳米复合膜具有电阻率高、击穿强度低、介电常数小和耐电晕时间长等特点。本方法既操作简便,又能够实现二氧化硅在聚酰亚胺中的均匀和稳定地分散。

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