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具有反射层的高亮度发光二极管制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610100264.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2006-07-05
  • 申请人:
    全新光电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称具有反射层的高亮度发光二极管制造方法
申请号CN200610100264.X申请日期2006-07-05
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2007-01-17公开/公告号CN1897318
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人全新光电科技股份有限公司申请人地址
台湾省桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人全新光电科技股份有限公司当前权利人全新光电科技股份有限公司
发明人王会恒;刘进祥;林昆泉
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人钟晶
摘要
本发明提供一种高亮度发光二极管的制造方法,其包括至少下列步骤:在第一基板上由下而上依序形成一发光结构、一非合金奥姆接触层、及一第一金属层而形成第一层状结构;以及形成包括至少一个第二基板的第二层状结构。使第二层状结构的上层与第一层状结构的上层彼此贴合,并利用芯片粘贴技术将两层层状结构接合在一起。第一金属层作为反射镜,且由于其由纯金属或金属氮化物所形成,因此该第一金属层具有优良的反射性,且其反射表面并不直接参与芯片粘贴。

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